15 марта 1930 г – в Витебске родился Жорес Иванович Алфёров, выдающийся российский физик, лауреат Нобелевской премии. Основные труды в области физики полупроводников, полупроводниковой и квантовой электроники, технической физики. Ж.И.Алфёров участвовал в создании отечественных транзисторов, фотодиодов, германиевых выпрямителей высокой мощности. Обнаружил явление сверхинжекции в гетероструктурах и создал «идеальные» полупроводниковые гетероструктуры. Положил начало новому направлению — гетеропереходам в полупроводниках. В 2000 году «за основополагающие работы в области информационных и коммуникационных технологий» был удостоен Нобелевской премии по физике.